Samsung又推出了三款内存新品--型号M312L2828ET0-CB0的1GB PC2100 ECC DDR、型号M368L2923BTN-CB3的1GB PC2700 DDR以及型号M378T6553BG0-CD5的512MB PC2-4300 DDRII。
图为:Samsung推出的内存新品
单条1GB PC2100 ECC DDR
这款型号M312L2828ET0-CB0的1GB PC2100 ECC DDR恐怕是现在零售市场上能够见到的最大容量的DDR内存了。这款条子主要面对的是入门级别服务器市场。因为目前的普通PC主板中,还只有Intel i875芯片能够支持ECC DDR;而主流服务器采用的内存则是Register ECC。
图为:单条1GB PC2100 ECC DDR内存
它采用Samsung自己生产的内存芯片,型号K4H510638E-TCB0,该芯片容量高达64M,4 Bank架构设计,SSTL2接口界面,66针TSOP2封装形式,默认工作电压2.5V,默认工作频率当CL=2时为DDR200、当CL=2.5以上时为DDR266。
采用Samsung自己生产的内存芯片
芯片的物理结构与我们平时使用的DDR内存芯片有所不同,由两层芯片组成。
单条1GB PC2700 DDR
M368L2923BTN-CB3相当于对应M312L2828ET0-CB0的非ECC版本,但运行频率更高,默认当CL=2时运行频率为DDR266,当CL=2.5时运行频率为DDR333。
图为:单条1GB PC2700 DDR内存
内存芯片型号为K4H510838B-TCB3,单颗容量64MB,同样是4 Bank架构设计,SSTL2接口界面,66针TSOP2封装形式,默认工作电压2.5V,默认工作频率当CL=2时为DDR266、当CL=2.5以上时为DDR333。
内存芯片型号为K4H510838B-TCB3
DDRII!-M378T6553BG0-CD5
真是没有想到,支持DDRII的处理器平台还没有发布,Samsung这么快就推出了DDRII内存零售产品。
图为:M378T6553BG0-CD5内存
该内存采用的芯片为Samsung自己的K4T51083QB-GCD5,单颗颗粒容量同样是64M,GDC5表示该芯片标准运行频率是DDR 533MHz(266MHz×2),但CL时间却高达4个时钟周期。
该内存采用的芯片为Samsung自己的K4T51083QB-GCD5
由下面的详细规格列表中我们可以看到,DDRII的工作电压由DDR的2.5V下降到了1.8V,写入延时比读取延时少一个时钟周期,而且内存芯片内建了终结电阻(也就是说主板制造商又可以节省一些成本),封装采用的是60脚的FBGA方式。同时,内存PCB也发生了一些改变,由DDR的184Pin升级为DDRII的232Pin。
DDRII与DDR相比最大的不同应该就是内存Pin数的变化了,这一变化使得DDRII与DDR将无法互相兼容,但发展DDR II的主要目的是为了提高性能,初期产品的时钟频率与DDR相比也有了一定的提高,等到支持DDRII的处理器平台上市之后,DDRII的发展速度将会加快,DDRII的运行频率也会进一步提高。
DDR II内存总线为64位,现在的初期产品运行频率在DDR400~DDR533之间,能达到3.2-4.3GB/秒的带宽,紧接着会推出DDR667的产品。
DDRII与DDR从性能角度来说,最大的改进就是将DDR采用的双倍数据包预读取,改良为四倍预读取,这也就是说,DDRII的内存总线频率是内存芯片实际工作频率的4倍,这为进一步提高内存实际工作频率留下了很大的空间,由此可以预料,DDRII将会有更加优秀的超频能力。
另一方面,DDRII采用了Posted CAS技术--即“写入延迟=读入延迟-1”。内存访问时间延迟,DDR最小能达到13毫秒,这对于DDR II而言足足损失了四个时钟周期,也就是说内存将会有4个时钟周期“放假”。Posted
CAS模式允许CAS和RAS指令在一定程度上重叠执行,几乎没有任何停顿,能够在延迟增加的情况下做一些性能补偿。
近期的内存市场小幅波动不断,但总体来说逐渐趋于平稳,这次Samsung一下子推出三款高容量新产品,当然,其中只有两款DDR内存对于市场有实际效应,如果能够保证供货量的话,相信对于内存市场的进一步稳定能够起到积极有利的作用。
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