拉开与AMD距离英特尔2005年底转向65纳米 -pc6资讯

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拉开与AMD距离英特尔2005年底转向65纳米 时间：2004/10/8 14:21:00来源：本站整理作者：蓝点我要评论(0): 　　芯片巨人英特尔公司日前宣布，其将为位于美国亚利桑纳州钱德勒市的Fab 12投资20亿美元，从而将其从200毫米晶圆厂转换为300毫米晶圆厂。Fab12的转换过程计划将于2005年底全部完成，而这座转换后的芯片工厂将首次生产65纳米制程的处理器。目前Intel Pentium4处理器采用90纳米制程，而65纳米制程可以生产出工作频率更高的处理器。

　　当转换工作结束之后，新的Fab 12将变成英特尔的第五座300毫米晶圆厂。要知道，5座300毫米晶圆厂提供的的制造能力相当于10座200毫米晶圆厂所能提供的总和。英特尔的另外四座300毫米晶圆厂分别位于美国俄勒冈州的Hillsboro(两座)，新墨西哥州的Rio Rancho，以及爱尔兰的Leixlip。

　　“这个项目是英特尔首次将一座现有的200毫米晶圆厂完全转换为300毫米晶圆厂。”英特尔资深副总裁兼技术制造部总经理Bob Baker对此评论道。

　　目前为止，关于英特尔65纳米处理器以及生产这种处理器的晶圆厂的信息还很少，但是我们已经知道了一些这种新工艺制程的特性。未来的新处理器产品中最重要的核心技术包括英特尔的新型晶体管，应变硅技术，以及使用全新的低介电常数绝缘体的铜互连技术。

　　英特尔新的65纳米制程将会使晶体管的尺寸仅有35纳米，这将是世界上已经量产的最小的、性能最高的CMOS晶体管。作为比较，目前量产的最先进的晶体管，也就是在英特尔的Pentium 4 Prescott处理器中所使用的晶体管，尺寸为50纳米。更小且更快的晶体管能制造出速度更高的处理器。

　　英特尔已经在新的制程中集成了第二代应变硅技术。应变硅技术能够提供更高的驱动电流，在提高晶体管速度的同时仅增加2%的制造费用。

　　新的制程中集成了8个铜互连层，并且使用低介电常数(Low-K)绝缘体材料，从而增加芯片内的信号速度，同时降低芯片的功耗。

　　英特尔曾于2003年11月底展示了首个能工作的65纳米制程的硅片，并计划于2005年正式进入商业化生产阶段。最早使用65纳米制程生产的处理器可能会是“Tejas”，其内部的二级缓存将由90纳米制程时的1MB增加到2MB。Tejas处理器将采用全新的指令集、分支预测功能和超线程技术，支持64位计算技术，初期上市的工作频率将在4~4.2GHz之间。

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