Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功
-
日前，Intel宣布，他们采用最新的65纳米工艺制造SRAM（静态存储器）取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。
静态存储器（SRAM）主要用作高速的存储设备，例如处理器内部的高速缓存等存储设备。
去年11月，Intel首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，现在能够生产出70Mbit的SRAM将有助于将来处理器的制造。
相关视频
相关阅读 Windows错误代码大全 Windows错误代码查询激活windows有什么用Mac QQ和Windows QQ聊天记录怎么合并 Mac QQ和Windows QQ聊天记录Windows 10自动更新怎么关闭 如何关闭Windows 10自动更新windows 10 rs4快速预览版17017下载错误问题Win10秋季创意者更新16291更新了什么 win10 16291更新内容windows10秋季创意者更新时间 windows10秋季创意者更新内容kb3150513补丁更新了什么 Windows 10补丁kb3150513是什么
- 文章评论
-
热门文章
谷歌眼镜拆解详细图
最新文章
Intel 12代酷睿低功耗
AMD RX 6500显卡价格多
Intel ARC A380性能规格曝光 显卡ARC A380最小米12发布会在哪看 小米12新品发布会直播地小米9 Pro 5G手机价格 小米9 Pro 5G手机什么iPhone 11发布会直播地址 iPhone 11发布会中
人气排行 SSHD固态混合硬盘详细介绍三星Galaxy Alpha S7拆解图文教程 三星Gala软超频卷土重来——ClockGen全攻略cpu天梯图2013最新(7月)桌面超频人人都行 升技AI7主板之终极测试小米路由器3怎么样 小米路由器3配置评测小米笔记本Air玩游戏怎么样 小米笔记本Air玩一起来看世界上最昂贵的电脑机箱吧
查看所有0条评论>>